Marque | Infineon |
Produit | FF200R12KT4 |
Description | Module IGBT |
Code intérieur | FBR4751131 |
Spécifications techniques | Configuration : double Tension collecteur-émetteur VCEO Max : 1200 V Tension de saturation collecteur-émetteur : 1,75 V Courant de collecteur continu à 25 °C : 320 A Courant de fuite grille-émetteur : 400 nA Pd - Puissance dissipée : 1100 W |
Vous pouvez nous contacter en France dans le but d'obtenir un devis avec prix et délai de livraison si vous cherchez le produit Infineon - FF200R12KT4 Module IGBT . Nous pouvons également vous proposer des produits d'autres marques et fabricants avec les meilleurs conditions de vente. Grâce à notre réseau de partenaires en Allemagne et à l'étranger, nous essayons de vous donner des prix compétitifs et des délais de livraison courts pour Infineon - FF200R12KT4 Module IGBT . Mais notre entreprise n’est pas un distributeur officiel sous contrat.
Les marques et les produits indiqués sur notre site sont des exemples à tittre informatif. Nous respectons strictement les droits de propriété privée des constructeurs respectifs.
Notre société n'est pas un distributeur agréé. Tous droits sont réservés aux fabricants et à leurs partenaires officiels.
Module SCR
Mosfet
Mosfet
Module
Module à diodes
Circuits intégrés pour commutateurs d'alimentation
TRANCHÉE MOSFET >=100 V
Modules IGBT