Vente de produits FF200R12KT4 - Infineon en France 

Marque Infineon
Produit FF200R12KT4
Description Module IGBT
Code intérieur FBR4751131
Spécifications techniques Configuration : double Tension collecteur-émetteur VCEO Max : 1200 V Tension de saturation collecteur-émetteur : 1,75 V Courant de collecteur continu à 25 °C : 320 A Courant de fuite grille-émetteur : 400 nA Pd - Puissance dissipée : 1100 W

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